• 1) 26万本以上の電子ビームを高速・高精度に制御
• 2) 曲線対応のMBF2.0データフォーマットによる複雑なパターンの高速描画
• 3) 高速データパスで制御するブランキングアパーチャアレイ

投稿 マルチ電子ビームマスク描画装置 MBM™-2000PLUS は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

• 1) 50kV加速電圧で、コントラストに優れた描画性
• 2) ステージ可変速移動と高電流密度(1200A/cm²)による高いスループット
• 3) 高いCOO（ Cost of Ownership ）を実現

投稿 可変成型電子ビームマスク描画装置 EBM-9500PLUS は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

16/14nmノードに対応したEBM-8000P/Hと
45～20nmノードに対応したEBM-8000P/Mがあります。

特長

• 1) 50kV加速電圧で、コントラストに優れた描画性
• 2) ステージ可変速移動と高電流密度(400A/cm²)による高いスループット
• 3) 広いテクノロジーノード領域において、高いCOO（ Cost of Ownership ）を実現

仕様

仕様

仕様	EBM-8000P/H	EBM-8000P/M
マスクサイズ	6inch	6inch
位置精度	4.3nm（3σ）	6.0nm（3σ）
寸法精度	1.3nm（3σ）	2.5nm（3σ）

投稿 可変成型電子ビームマスク描画装置 EBM-8000P/H・EBM-8000P/M は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

• 1) 26万本以上の電子ビームを高速・高精度に制御
• 2) PLDC(Pixel Level Dose Correction)技術を採用し、コントラストに優れた描画性
• 3) データの複雑さに依存しない、高スループットと高精度の描画の両立

投稿 マルチ電子ビームマスク描画装置 MBM™-2000 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

投稿 EPIREVO S8™ 200㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

投稿 EPIREVO™ S6 150㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置 は 株式会社ニューフレアテクノロジー に最初に表示されました。

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